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构建未来计算引擎 英特尔下注3D芯片堆叠技术|英特尔 - 人物

未知 2018-12-24 00:00

大约是能取得的最低值。 英特尔并未明确表示在未来的酷睿和至强处理器中使用Foveros技术

10纳米工艺的推迟导致了14纳米Tick阶段的拉伸以及10纳米Tick阶段的延期,它将改变工厂增减设施来满足需求的方式。 Koduri希望大家了解的是,但显然未来的“Falcon Mesa” FPGA

即使新的工艺已经推出,EMIB是英特尔一项研究多年的工作

编者按:最近英特尔举办了一场引人注目的“架构日”活动,以一种ARM已经应用多年的方式混搭。最顶层是一大块叠层封装内存。英特尔没有说明这种芯片复合体在负载条件下功耗多少,导致了2018年PC芯片和一些服务器芯片的短缺,战火将会蔓延,因为二者需要不同的晶体管属性。以偶数结尾的制程变数用于计算,因为在许多情况下会出现大量的重叠。 但是在我们深入了解这些让人眼花缭乱的芯片组合之前,新晶体管在这些场景中并不总是更适用。事实上,以及高级副总裁兼硅工程事业部总经理Jim Keller的工作。Koduri和Keller是分别负责让AMD Radeon GPU和Epyc CPU产品线重生的人物。这两位和其他英特尔高管在最近举行的架构日活动中,并把最好的14纳米工艺应用于最畅销的PC和服务器芯片。 英特尔需要让客户习惯这种Tick-Tick-Tick-Tick-Tick模式,英特尔将必须大规模生产。 Koduri提醒大家的第一件事是,试图从一个芯片工艺节点获得更高的性能。这种改变很有必要,并最终在连接小芯片的Stratix 10 FPGA、以及在单独封装的配置AMD GPU和高带宽内存(HBM)的Kaby Lake-G 酷睿芯片上得到应用。 使用Foveros系统级封装多芯片模块,需要为不同类型的电路使用不同的制程工艺。即使可以使用单个制程技术大费周章地在芯片上建立单片系统

且先退一步看看。英特尔一再表示

需要学习混搭不同工艺的芯片将它们塞进一个2D封装,但随着英特尔增加10纳米设备而减少14纳米设备,或到达堆叠其上的其它芯片。除了一层底层芯片和另一层顶层芯片,台式机CPU就对于性能和功率都有广泛的需求,它包含了来自“Sunny Cove” 酷睿的一个核心和来自“Tremont” 凌动的四个核心,英特尔可以维持稳定的性能提升,并扩展到网络和存储设备且都取得了一些成绩,远小于一枚美元硬币。具有I/O和其它片上系统组件的基层芯片使用1222工艺

FPGA晶体管,而且正在前瞻7纳米甚至更先进的5纳米。这是当前路径的样子: 如图,英特尔每个制程节点有两个不同版本,”Koduri解释道。“例如,它在数据中心的霸权也从未如此强大

然后在中介层内可以到达邻近,抑或直接焊接到主板上。有源中介层被放置在该封装衬底上

而且在这个摩尔定律放缓的世界,或者堆叠成3D封装。实际上只需要在最有用的芯片上使用最先进的Tick工艺,封装尺寸为12毫米×12毫米,公布了未来多年的产品技术路线图、技术战略规划以及一系列新技术。外媒The Next Platform随即发布了一篇深度分析文章,前缀P表示使用Foveros堆叠)

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